0 0 0
  8. FQB33N10TM

Транзистори з каналом N SMD FQB33N10TM

 
FQB33N10TM
 
ONSEMI
Артикул: 076104
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 23А; 127Вт; D2PAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
88.10 грн
5+
77.28 грн
17+
59.51 грн
45+
56.42 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498)
Напруга сток-джерело
100В(1441364)
Струм стока
23А(1479277)
Опір в стані провідності
52мОм(1479252)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
127Вт(1741937)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
51нКл(1610021)
Технологія
QFET®(1600689)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,642 g
 
Транзистори з каналом N SMD FQB33N10TM
ONSEMI
Артикул: 076104
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 23А; 127Вт; D2PAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
88.10 грн
5+
77.28 грн
17+
59.51 грн
45+
56.42 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Напруга сток-джерело
100В
Струм стока
23А
Опір в стані провідності
52мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
127Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
51нКл
Технологія
QFET®
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,642 g