0 0 0
  8. FQB47P06TM-AM002

Транзистори з каналом P SMD FQB47P06TM-AM002

 
FQB47P06TM-AM002
 
ONSEMI
Артикул: 140704
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -33,2А; 160Вт; D2PAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
234.19 грн
5+
207.11 грн
6+
180.02 грн
16+
170.46 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498)
Напруга сток-джерело
-60В(1492224)
Струм стока
-33,2А(1643131)
Опір в стані провідності
26мОм(1479163)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
160Вт(1701927)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
110нКл(1479315)
Технологія
QFET®(1600689)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,766 g
 
Транзистори з каналом P SMD FQB47P06TM-AM002
ONSEMI
Артикул: 140704
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -33,2А; 160Вт; D2PAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
234.19 грн
5+
207.11 грн
6+
180.02 грн
16+
170.46 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Напруга сток-джерело
-60В
Струм стока
-33,2А
Опір в стані провідності
26мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
160Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
110нКл
Технологія
QFET®
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,766 g