0 0 0
  8. FQB55N10TM

Транзистори з каналом N SMD FQB55N10TM

 
FQB55N10TM
 
ONSEMI
Артикул: 1095473
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 38,9А; 155Вт; D2PAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
160.35 грн
5+
146.06 грн
10+
111.13 грн
25+
105.58 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 800 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498)
Напруга сток-джерело
100В(1441364)
Струм стока
38,9А(1634345)
Опір в стані провідності
26мОм(1479163)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
155Вт(1741894)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
98нКл(1632637)
Технологія
QFET®(1600689)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,697 g
 
Транзистори з каналом N SMD FQB55N10TM
ONSEMI
Артикул: 1095473
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 38,9А; 155Вт; D2PAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
160.35 грн
5+
146.06 грн
10+
111.13 грн
25+
105.58 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 800 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Напруга сток-джерело
100В
Струм стока
38,9А
Опір в стані провідності
26мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
155Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
98нКл
Технологія
QFET®
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,697 g