0 0 0
  8. FQD11P06TM

Транзистори з каналом P SMD FQD11P06TM

 
FQD11P06TM
 
ONSEMI
Артикул: 140705
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -5,95А; 38Вт; DPAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
114.43 грн
5+
63.09 грн
22+
47.68 грн
58+
45.29 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 1487 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DPAK(1440836)
Напруга сток-джерело
-60В(1492224)
Струм стока
-5,95А(1643132)
Опір в стані провідності
0,185Ом(1492504)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
38Вт(1449556)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
17нКл(1479101)
Технологія
QFET®(1600689)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,37 g
 
Транзистори з каналом P SMD FQD11P06TM
ONSEMI
Артикул: 140705
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -5,95А; 38Вт; DPAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
114.43 грн
5+
63.09 грн
22+
47.68 грн
58+
45.29 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 1487 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
DPAK
Напруга сток-джерело
-60В
Струм стока
-5,95А
Опір в стані провідності
0,185Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
38Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
17нКл
Технологія
QFET®
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,37 g