0 0 0
  8. FQD12N20LTM

Транзистори з каналом N SMD FQD12N20LTM

 
FQD12N20LTM
 
ONSEMI
Артикул: 076112
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 5,7А; 55Вт; DPAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
61.97 грн
33+
31.38 грн
89+
29.64 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 2739 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DPAK(1440836)
Напруга сток-джерело
200В(1441311)
Струм стока
5,7А(1441269)
Опір в стані провідності
0,32Ом(1638678)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
55Вт(1701954)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
21нКл(1478964)
Технологія
QFET®(1600689)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,334 g
 
Транзистори з каналом N SMD FQD12N20LTM
ONSEMI
Артикул: 076112
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 5,7А; 55Вт; DPAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
61.97 грн
33+
31.38 грн
89+
29.64 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 2739 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
DPAK
Напруга сток-джерело
200В
Струм стока
5,7А
Опір в стані провідності
0,32Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
55Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
21нКл
Технологія
QFET®
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,334 g