0 0 0
  8. FQD19N10TM

Транзистори з каналом N SMD FQD19N10TM

 
FQD19N10TM
 
ONSEMI
Артикул: 524574
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 9,8А; Idm: 62,4А; 50Вт; DPAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
79.68 грн
5+
61.04 грн
25+
46.06 грн
27+
36.97 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DPAK(1440836)
Напруга сток-джерело
100В(1441364)
Струм стока
9,8А(1441288)
Опір в стані провідності
0,1Ом(1492330)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
50Вт(1520816)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
25нКл(1479056)
Технологія
QFET®(1600689)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
62,4А(1888014)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g
 
Транзистори з каналом N SMD FQD19N10TM
ONSEMI
Артикул: 524574
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 9,8А; Idm: 62,4А; 50Вт; DPAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
79.68 грн
5+
61.04 грн
25+
46.06 грн
27+
36.97 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
DPAK
Напруга сток-джерело
100В
Струм стока
9,8А
Опір в стані провідності
0,1Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
50Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
25нКл
Технологія
QFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
62,4А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g