0 0 0
  8. FQD2N90TM

Транзистори з каналом N SMD FQD2N90TM

 
FQD2N90TM
 
ONSEMI
Артикул: 524576
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,08А; Idm: 6,8А; 50Вт; DPAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
80.48 грн
5+
66.14 грн
19+
53.39 грн
52+
50.20 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DPAK(1440836)
Напруга сток-джерело
900В(1441403)
Струм стока
1,08А(1888015)
Опір в стані провідності
7,2Ом(1609658)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
50Вт(1520816)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
15нКл(1479067)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
6,8А(1888016)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g
 
Транзистори з каналом N SMD FQD2N90TM
ONSEMI
Артикул: 524576
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,08А; Idm: 6,8А; 50Вт; DPAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
80.48 грн
5+
66.14 грн
19+
53.39 грн
52+
50.20 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
DPAK
Напруга сток-джерело
900В
Струм стока
1,08А
Опір в стані провідності
7,2Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
50Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
15нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
6,8А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g