0 0 0
  8. FQD3P50TM

Транзистори з каналом P SMD FQD3P50TM

 
FQD3P50TM
 
ONSEMI
Артикул: 998509
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -500В; -1,33А; 50Вт; DPAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
100.81 грн
10+
80.97 грн
19+
55.57 грн
50+
53.18 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 2365 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DPAK(1440836)
Напруга сток-джерело
-500В(1492282)
Струм стока
-1,33А(1643134)
Опір в стані провідності
4,9Ом(1634378)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
50Вт(1520816)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
23нКл(1479059)
Технологія
QFET®(1600689)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,362 g
 
Транзистори з каналом P SMD FQD3P50TM
ONSEMI
Артикул: 998509
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -500В; -1,33А; 50Вт; DPAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
100.81 грн
10+
80.97 грн
19+
55.57 грн
50+
53.18 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 2365 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
DPAK
Напруга сток-джерело
-500В
Струм стока
-1,33А
Опір в стані провідності
4,9Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
50Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
23нКл
Технологія
QFET®
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,362 g