0 0 0
  8. FQD7P20TM

Транзистори з каналом P SMD FQD7P20TM

 
FQD7P20TM
 
ONSEMI
Артикул: 140709
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -3,6А; 55Вт; DPAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
87.40 грн
5+
65.15 грн
21+
49.26 грн
56+
46.08 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DPAK(1440836)
Напруга сток-джерело
-200В(1441458)
Струм стока
-3,6А(1479071)
Опір в стані провідності
0,69Ом(1638674)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
55Вт(1701954)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
25нКл(1479056)
Технологія
QFET®(1600689)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,408 g
 
Транзистори з каналом P SMD FQD7P20TM
ONSEMI
Артикул: 140709
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -3,6А; 55Вт; DPAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
87.40 грн
5+
65.15 грн
21+
49.26 грн
56+
46.08 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
DPAK
Напруга сток-джерело
-200В
Струм стока
-3,6А
Опір в стані провідності
0,69Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
55Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
25нКл
Технологія
QFET®
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,408 g