0 0 0
  8. FQD8P10TM

Транзистори з каналом P SMD FQD8P10TM

 
FQD8P10TM
 
ONSEMI
Артикул: 140710
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -4,2А; 44Вт; DPAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3+
43.15 грн
25+
39.25 грн
34+
29.72 грн
93+
28.13 грн
Мін. замовлення: 3
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DPAK(1440836)
Напруга сток-джерело
-100В(1478949)
Струм стока
-4,2А(1492485)
Опір в стані провідності
530мОм(1634371)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
44Вт(1596017)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
15нКл(1479067)
Технологія
QFET®(1600689)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,367 g
 
Транзистори з каналом P SMD FQD8P10TM
ONSEMI
Артикул: 140710
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -4,2А; 44Вт; DPAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3+
43.15 грн
25+
39.25 грн
34+
29.72 грн
93+
28.13 грн
Мін. замовлення: 3
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
DPAK
Напруга сток-джерело
-100В
Струм стока
-4,2А
Опір в стані провідності
530мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
44Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
15нКл
Технологія
QFET®
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,367 g