0 0 0
  8. FQI13N50CTU

Транзистори з каналом N THT FQI13N50CTU

 
FQI13N50CTU
 
ONSEMI
Артикул: 524862
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 8А; Idm: 52А; 195Вт; I2PAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
181.62 грн
3+
163.30 грн
8+
130.64 грн
22+
123.47 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
I2PAK(1600260)
Напруга сток-джерело
500В(1441382)
Струм стока
8А(1441287)
Опір в стані провідності
0,48Ом(1737210)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
195Вт(1741754)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
56нКл(1479440)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
52А(1789218)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,5 g
 
Транзистори з каналом N THT FQI13N50CTU
ONSEMI
Артикул: 524862
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 8А; Idm: 52А; 195Вт; I2PAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
181.62 грн
3+
163.30 грн
8+
130.64 грн
22+
123.47 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
THT
Корпус
I2PAK
Напруга сток-джерело
500В
Струм стока
8А
Опір в стані провідності
0,48Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
195Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
56нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
52А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,5 g