0 0 0
  8. FQI27N25TU

Транзистори з каналом N THT FQI27N25TU

 
FQI27N25TU
 
ONSEMI
Артикул: 524863
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 16,2А; Idm: 102А; 180Вт; I2PAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
201.81 грн
3+
181.15 грн
7+
144.60 грн
19+
136.66 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
I2PAK(1600260)
Напруга сток-джерело
250В(1441306)
Струм стока
16,2А(1805242)
Опір в стані провідності
0,11Ом(1459327)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
180Вт(1701962)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
65нКл(1479501)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
102А(1823198)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,5 g
 
Транзистори з каналом N THT FQI27N25TU
ONSEMI
Артикул: 524863
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 16,2А; Idm: 102А; 180Вт; I2PAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
201.81 грн
3+
181.15 грн
7+
144.60 грн
19+
136.66 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
THT
Корпус
I2PAK
Напруга сток-джерело
250В
Струм стока
16,2А
Опір в стані провідності
0,11Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
180Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
65нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
102А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,5 g