0 0 0
  8. FQP12P10

Транзистори з каналом P THT FQP12P10

 
FQP12P10
 
ONSEMI
Артикул: 1169111
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -8,1А; Idm: -46А; 75Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
96.73 грн
3+
86.43 грн
10+
76.12 грн
15+
68.98 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220AB(1440140)
Напруга сток-джерело
-100В(1478949)
Струм стока
-8,1А(1501044)
Опір в стані провідності
0,29Ом(1492417)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
75Вт(1701926)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
27нКл(1479063)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
-46А(1888057)
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g
 
Транзистори з каналом P THT FQP12P10
ONSEMI
Артикул: 1169111
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -8,1А; Idm: -46А; 75Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
96.73 грн
3+
86.43 грн
10+
76.12 грн
15+
68.98 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
THT
Корпус
TO220AB
Напруга сток-джерело
-100В
Струм стока
-8,1А
Опір в стані провідності
0,29Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
75Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
27нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
-46А
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g