0 0 0
  8. FQP14N30

Транзистори з каналом N THT FQP14N30

 
FQP14N30
 
ONSEMI
Артикул: 524874
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 9,1А; Idm: 57,6А; 147Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
128.71 грн
3+
116.00 грн
10+
102.49 грн
11+
92.16 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220AB(1440140)
Напруга сток-джерело
300В(1441556)
Струм стока
9,1А(1479188)
Опір в стані провідності
0,29Ом(1492417)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
147Вт(1741770)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
40нКл(1479263)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
57,6А(1888028)
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g
 
Транзистори з каналом N THT FQP14N30
ONSEMI
Артикул: 524874
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 9,1А; Idm: 57,6А; 147Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
128.71 грн
3+
116.00 грн
10+
102.49 грн
11+
92.16 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
THT
Корпус
TO220AB
Напруга сток-джерело
300В
Струм стока
9,1А
Опір в стані провідності
0,29Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
147Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
40нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
57,6А
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g