0 0 0
  8. FQP17P06

Транзистори з каналом P THT FQP17P06

 
FQP17P06
 
ONSEMI
Артикул: 1169114
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -12А; 79Вт; TO220AB
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
130.04 грн
3+
117.35 грн
10+
103.87 грн
11+
90.39 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220AB(1440140)
Напруга сток-джерело
-60В(1492224)
Струм стока
-12А(1479010)
Опір в стані провідності
0,12Ом(1492377)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
79Вт(1740747)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
27нКл(1479063)
Технологія
QFET®(1600689)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 2,05 g
 
Транзистори з каналом P THT FQP17P06
ONSEMI
Артикул: 1169114
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -12А; 79Вт; TO220AB
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
130.04 грн
3+
117.35 грн
10+
103.87 грн
11+
90.39 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
THT
Корпус
TO220AB
Напруга сток-джерело
-60В
Струм стока
-12А
Опір в стані провідності
0,12Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
79Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
27нКл
Технологія
QFET®
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 2,05 g