Транзистори з каналом N THT FQP32N20C

 
FQP32N20C
 
Артикул: 078157
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 17,8А; 156Вт; TO220AB
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
108.06 грн
3+
97.73 грн
10+
86.60 грн
13+
80.25 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 9 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220AB(1440140)
Напруга сток-джерело
200В(1441311)
Струм стока
17,8А(1634354)
Опір в стані провідності
82мОм(1479274)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
156Вт(1741756)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
110нКл(1479315)
Технологія
QFET®(1600689)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 2,04 g
 
Транзистори з каналом N THT FQP32N20C
ONSEMI
Артикул: 078157
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 17,8А; 156Вт; TO220AB
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
108.06 грн
3+
97.73 грн
10+
86.60 грн
13+
80.25 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 9 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
THT
Корпус
TO220AB
Напруга сток-джерело
200В
Струм стока
17,8А
Опір в стані провідності
82мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
156Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
110нКл
Технологія
QFET®
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 2,04 g