0 0 0
  8. FQP47P06

Транзистори з каналом P THT FQP47P06

 
FQP47P06
 
ONSEMI
Артикул: 141073
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -33,2А; 160Вт; TO220AB
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
221.75 грн
3+
200.29 грн
6+
170.88 грн
16+
161.34 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220AB(1440140)
Напруга сток-джерело
-60В(1492224)
Струм стока
-33,2А(1643131)
Опір в стані провідності
26мОм(1479163)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
160Вт(1701927)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
110нКл(1479315)
Технологія
QFET®(1600689)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 2,06 g
 
Транзистори з каналом P THT FQP47P06
ONSEMI
Артикул: 141073
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -33,2А; 160Вт; TO220AB
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
221.75 грн
3+
200.29 грн
6+
170.88 грн
16+
161.34 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
THT
Корпус
TO220AB
Напруга сток-джерело
-60В
Струм стока
-33,2А
Опір в стані провідності
26мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
160Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
110нКл
Технологія
QFET®
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 2,06 g