0 0 0
  8. FQP4N80

Транзистори з каналом N THT FQP4N80

 
FQP4N80
 
ONSEMI
Артикул: 524888
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 2,47А; Idm: 15,6А; 130Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
117.59 грн
3+
106.47 грн
10+
94.55 грн
12+
85.01 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 33 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220AB(1440140)
Напруга сток-джерело
800В(1441395)
Струм стока
2,47А(1805236)
Опір в стані провідності
3,6Ом(1492334)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
130Вт(1701963)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
25нКл(1479056)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
15,6А(1888022)
Додаткова інформація: Маса брутто: 2,07 g
 
Транзистори з каналом N THT FQP4N80
ONSEMI
Артикул: 524888
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 2,47А; Idm: 15,6А; 130Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
117.59 грн
3+
106.47 грн
10+
94.55 грн
12+
85.01 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 33 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
THT
Корпус
TO220AB
Напруга сток-джерело
800В
Струм стока
2,47А
Опір в стані провідності
3,6Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
130Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
25нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
15,6А
Додаткова інформація: Маса брутто: 2,07 g