0 0 0
  8. FQP7P06

Транзистори з каналом P THT FQP7P06

 
FQP7P06
 
ONSEMI
Артикул: 141075
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -4,95А; 45Вт; TO220AB
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
97.52 грн
3+
76.46 грн
10+
67.88 грн
17+
61.63 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 25 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220AB(1440140)
Напруга сток-джерело
-60В(1492224)
Струм стока
-4,95А(1699711)
Опір в стані провідності
410мОм(1600725)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
45Вт(1607948)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
8,2нКл(1610008)
Технологія
QFET®(1600689)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 2,043 g
 
Транзистори з каналом P THT FQP7P06
ONSEMI
Артикул: 141075
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -4,95А; 45Вт; TO220AB
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
97.52 грн
3+
76.46 грн
10+
67.88 грн
17+
61.63 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 25 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
THT
Корпус
TO220AB
Напруга сток-джерело
-60В
Струм стока
-4,95А
Опір в стані провідності
410мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
45Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
8,2нКл
Технологія
QFET®
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 2,043 g