0 0 0
  8. FQP8P10

Транзистори з каналом P THT FQP8P10

 
FQP8P10
 
ONSEMI
Артикул: 526671
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -5,7А; Idm: -32А; 65Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
79.38 грн
3+
65.09 грн
10+
58.66 грн
22+
46.83 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220AB(1440140)
Напруга сток-джерело
-100В(1478949)
Струм стока
-5,7А(1588745)
Опір в стані провідності
530мОм(1634371)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
65Вт(1507555)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
15нКл(1479067)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
-32А(1741684)
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g
 
Транзистори з каналом P THT FQP8P10
ONSEMI
Артикул: 526671
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -5,7А; Idm: -32А; 65Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
79.38 грн
3+
65.09 грн
10+
58.66 грн
22+
46.83 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
THT
Корпус
TO220AB
Напруга сток-джерело
-100В
Струм стока
-5,7А
Опір в стані провідності
530мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
65Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
15нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
-32А
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g