0 0 0
  8. FQP9N30

Транзистори з каналом N THT FQP9N30

 
FQP9N30
 
ONSEMI
Артикул: 524898
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 5,7А; Idm: 36А; 98Вт; TO220AB
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
118.69 грн
3+
108.33 грн
10+
95.59 грн
12+
86.03 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220AB(1440140)
Напруга сток-джерело
300В(1441556)
Струм стока
5,7А(1441269)
Опір в стані провідності
0,45Ом(1638676)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
98Вт(1740789)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
22нКл(1479158)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
36А(1742465)
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g
 
Транзистори з каналом N THT FQP9N30
ONSEMI
Артикул: 524898
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 5,7А; Idm: 36А; 98Вт; TO220AB
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
118.69 грн
3+
108.33 грн
10+
95.59 грн
12+
86.03 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
THT
Корпус
TO220AB
Напруга сток-джерело
300В
Струм стока
5,7А
Опір в стані провідності
0,45Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
98Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
22нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
36А
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g