0 0 0
  8. FQP9N90C

Транзистори з каналом N THT FQP9N90C

 
FQP9N90C
 
ONSEMI
Артикул: 078166
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 2,8А; 205Вт; TO220AB
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
283.33 грн
6+
198.33 грн
14+
188.10 грн
500+
181.01 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220AB(1440140)
Напруга сток-джерело
900В(1441403)
Струм стока
2,8А(1602409)
Опір в стані провідності
1,4Ом(1441598)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
205Вт(1742125)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
58нКл(1478954)
Технологія
QFET®(1600689)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 2,047 g
 
Транзистори з каналом N THT FQP9N90C
ONSEMI
Артикул: 078166
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 2,8А; 205Вт; TO220AB
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
283.33 грн
6+
198.33 грн
14+
188.10 грн
500+
181.01 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
THT
Корпус
TO220AB
Напруга сток-джерело
900В
Струм стока
2,8А
Опір в стані провідності
1,4Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
205Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
58нКл
Технологія
QFET®
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 2,047 g