0 0 0
  8. FQPF11P06

Транзисторы с каналом P THT FQPF11P06

 
FQPF11P06
 
ONSEMI
Артикул: 526673
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -6,08А; Idm: -34,4А; 30Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
85.79 грн
3+
72.41 грн
10+
64.54 грн
18+
57.45 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220FP(1440905)
Напруга сток-джерело
-60В(1492224)
Струм стока
-6,08А(1888063)
Опір в стані провідності
0,175Ом(1758420)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
30Вт(1507542)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
17нКл(1479101)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
-34,4А(1888062)
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g
 
Транзисторы с каналом P THT FQPF11P06
ONSEMI
Артикул: 526673
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -6,08А; Idm: -34,4А; 30Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
85.79 грн
3+
72.41 грн
10+
64.54 грн
18+
57.45 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
THT
Корпус
TO220FP
Напруга сток-джерело
-60В
Струм стока
-6,08А
Опір в стані провідності
0,175Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
30Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
17нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
-34,4А
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g