0 0 0
  8. FQPF19N10

Транзистори з каналом N THT FQPF19N10

 
FQPF19N10
 
ONSEMI
Артикул: 524906
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 9,6А; Idm: 54,4А; 38Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
78.66 грн
3+
69.92 грн
10+
61.97 грн
18+
56.41 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220FP(1440905)
Напруга сток-джерело
100В(1441364)
Струм стока
9,6А(1479200)
Опір в стані провідності
0,1Ом(1492330)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
38Вт(1449556)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
25нКл(1479056)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
54,4А(1888033)
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g
 
Транзистори з каналом N THT FQPF19N10
ONSEMI
Артикул: 524906
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 9,6А; Idm: 54,4А; 38Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
78.66 грн
3+
69.92 грн
10+
61.97 грн
18+
56.41 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
THT
Корпус
TO220FP
Напруга сток-джерело
100В
Струм стока
9,6А
Опір в стані провідності
0,1Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
38Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
25нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
54,4А
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g