0 0 0
  8. FQPF630

Транзистори з каналом N THT FQPF630

 
FQPF630
 
ONSEMI
Артикул: 524925
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 4А; Idm: 25,2А; 38Вт; TO220FP
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
82.63 грн
3+
74.69 грн
10+
65.95 грн
17+
59.59 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220FP(1440905)
Напруга сток-джерело
200В(1441311)
Струм стока
4А(1441365)
Опір в стані провідності
0,4Ом(1492230)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
38Вт(1449556)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
25нКл(1479056)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
25,2А(1888037)
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g
 
Транзистори з каналом N THT FQPF630
ONSEMI
Артикул: 524925
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 4А; Idm: 25,2А; 38Вт; TO220FP
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
82.63 грн
3+
74.69 грн
10+
65.95 грн
17+
59.59 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
THT
Корпус
TO220FP
Напруга сток-джерело
200В
Струм стока
4А
Опір в стані провідності
0,4Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
38Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
25нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
25,2А
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g