0 0 0
  8. FQT4N20LTF

Транзистори з каналом N SMD FQT4N20LTF

 
FQT4N20LTF
 
ONSEMI
Артикул: 985308
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 0,68А; 2,2Вт; SOT223
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
56.36 грн
10+
45.09 грн
35+
29.13 грн
96+
27.63 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 3471 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT223(1440831)
Напруга сток-джерело
200В(1441311)
Струм стока
0,68А(1632952)
Опір в стані провідності
1,4Ом(1441598)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
2,2Вт(1449547)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
5,2нКл(1634355)
Технологія
QFET®(1600689)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,151 g
 
Транзистори з каналом N SMD FQT4N20LTF
ONSEMI
Артикул: 985308
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 0,68А; 2,2Вт; SOT223
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
56.36 грн
10+
45.09 грн
35+
29.13 грн
96+
27.63 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 3471 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SOT223
Напруга сток-джерело
200В
Струм стока
0,68А
Опір в стані провідності
1,4Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
2,2Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
5,2нКл
Технологія
QFET®
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,151 g