0 0 0
  8. FQT5P10TF

Транзистори з каналом P SMD FQT5P10TF

 
FQT5P10TF
 
ONSEMI
Артикул: 140711
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -0,8А; 2Вт; SOT223
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
39.71 грн
25+
36.37 грн
36+
27.64 грн
99+
26.13 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT223(1440831)
Напруга сток-джерело
-100В(1478949)
Струм стока
-0,8А(1643136)
Опір в стані провідності
1,05Ом(1441606)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
2Вт(1507429)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
8,2нКл(1610008)
Технологія
QFET®(1600689)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,144 g
 
Транзистори з каналом P SMD FQT5P10TF
ONSEMI
Артикул: 140711
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -0,8А; 2Вт; SOT223
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
39.71 грн
25+
36.37 грн
36+
27.64 грн
99+
26.13 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SOT223
Напруга сток-джерело
-100В
Струм стока
-0,8А
Опір в стані провідності
1,05Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
2Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
8,2нКл
Технологія
QFET®
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,144 g