Транзистори з каналом P THT FQU17P06TU

 
FQU17P06TU
 
Артикул: 141079
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -7,6А; 44Вт; IPAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
55.65 грн
5+
51.32 грн
20+
46.37 грн
25+
40.50 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 175 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
IPAK(1479005)
Напруга сток-джерело
-60В(1492224)
Струм стока
-7,6А(1643133)
Опір в стані провідності
135мОм(1628418)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
44Вт(1596017)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
27нКл(1479063)
Технологія
QFET®(1600689)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,392 g
 
Транзистори з каналом P THT FQU17P06TU
ONSEMI
Артикул: 141079
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -7,6А; 44Вт; IPAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
55.65 грн
5+
51.32 грн
20+
46.37 грн
25+
40.50 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 175 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
THT
Корпус
IPAK
Напруга сток-джерело
-60В
Струм стока
-7,6А
Опір в стані провідності
135мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
44Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
27нКл
Технологія
QFET®
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,392 g