0 0 0
  8. MMBFJ309LT1G

Транзистори з каналом N SMD MMBFJ309LT1G

 
MMBFJ309LT1G
 
ONSEMI
Артикул: 077265
Транзистор: N-JFET; польовий; 25В; 30мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 10мА
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
19.92 грн
10+
13.79 грн
25+
12.11 грн
100+
10.60 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 2863 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262)
Струм вентиля
10мА(1441329)
Напруга сток-джерело
25В(1441346)
Струм стока
30мА(1441343)
Тип транзистора
N-JFET(1492380)
Потужність розсіювання
0,225Вт(1707091)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,017 g
 
Транзистори з каналом N SMD MMBFJ309LT1G
ONSEMI
Артикул: 077265
Транзистор: N-JFET; польовий; 25В; 30мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 10мА
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
19.92 грн
10+
13.79 грн
25+
12.11 грн
100+
10.60 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 2863 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Струм вентиля
10мА
Напруга сток-джерело
25В
Струм стока
30мА
Тип транзистора
N-JFET
Потужність розсіювання
0,225Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,017 g