0 0 0
  7. MMBZ27VALT1G

Запобіжні діоди - складки MMBZ27VALT1G

 
MMBZ27VALT1G
 
ONSEMI
Артикул: 213940
Діод: TVS збірка; 27В; 1А; 40Вт; подвійний,спільний анод; SOT23
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
25+
3.53 грн
100+
3.16 грн
420+
2.42 грн
1145+
2.29 грн
Мін. замовлення: 25
Кратність: 5
Кількість: 1540 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262)
Допуск
±5%(1819321)
Зворотна напруга макс.
22В(1440563)
Структура напівпровідника
подвійний(1600771) спільний анод(1440273)
Струм в імпульсі макс.
1А(1440649)
Напруга пробою
27В(1440410)
Струм витоку
50нА(1613685)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Тип діода
transil збірка(1501444)
Властивості напівпровідникових елементів
захисна ESD(1639296)
Peak pulse power dissipation
40Вт(1911820)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,017 g
 
Запобіжні діоди - складки MMBZ27VALT1G
ONSEMI
Артикул: 213940
Діод: TVS збірка; 27В; 1А; 40Вт; подвійний,спільний анод; SOT23
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
25+
3.53 грн
100+
3.16 грн
420+
2.42 грн
1145+
2.29 грн
Мін. замовлення: 25
Кратність: 5
Кількість: 1540 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Допуск
±5%
Зворотна напруга макс.
22В
Структура напівпровідника
подвійний
Структура напівпровідника
спільний анод
Струм в імпульсі макс.
1А
Напруга пробою
27В
Струм витоку
50нА
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Тип діода
transil збірка
Властивості напівпровідникових елементів
захисна ESD
Peak pulse power dissipation
40Вт
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,017 g