0 0 0
  7. NCP5104DR2G

Драйвери MOSFET/IGBT NCP5104DR2G

 
NCP5104DR2G
 
ONSEMI
Артикул: 392506
IC: driver; півмісток IGBT,півмісток MOSFET; SO8; -500÷250мА
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
73.93 грн
5+
66.06 грн
20+
50.33 грн
55+
47.97 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Робоча температура
-40...125°C(1819335)
Корпус
SO8(1441256)
Напруга живлення
10...20В DC(1492932)
Вихідний струм
-500...250мА(1743468)
Тип інтегральної мікросхеми
driver(1443705)
Час наростання імпульсу
160нс(1802395)
Час спадання імпульсу
75нс(1443722)
Кількість каналів
2(1443907)
Властивості інтегральних мікросхем
integrated bootstrap functionality(1619534)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Захист
зростання напруги(1600603)
Вид об'єднаної схеми
current sense(1503921) контролер затворів(1617856)
Топологія
півмісток MOSFET(1612559) півмісток IGBT(1612529)
клас напруги
600В(1711085)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Драйвери MOSFET/IGBT NCP5104DR2G
ONSEMI
Артикул: 392506
IC: driver; півмісток IGBT,півмісток MOSFET; SO8; -500÷250мА
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
73.93 грн
5+
66.06 грн
20+
50.33 грн
55+
47.97 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Робоча температура
-40...125°C
Корпус
SO8
Напруга живлення
10...20В DC
Вихідний струм
-500...250мА
Тип інтегральної мікросхеми
driver
Час наростання імпульсу
160нс
Час спадання імпульсу
75нс
Кількість каналів
2
Властивості інтегральних мікросхем
integrated bootstrap functionality
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Захист
зростання напруги
Вид об'єднаної схеми
current sense
Вид об'єднаної схеми
контролер затворів
Топологія
півмісток MOSFET
Топологія
півмісток IGBT
клас напруги
600В
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g