0 0 0
  7. NCP5109ADR2G

Драйвери MOSFET/IGBT NCP5109ADR2G

 
NCP5109ADR2G
 
ONSEMI
Артикул: 694110
IC: driver; півмісток IGBT,півмісток MOSFET; SO8; -500÷250мА
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
68.52 грн
5+
62.14 грн
20+
51.24 грн
53+
48.44 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Робоча температура
-40...125°C(1819335)
Корпус
SO8(1441256)
Напруга живлення
10...20В DC(1492932)
Вихідний струм
-500...250мА(1743468)
Тип інтегральної мікросхеми
driver(1443705)
Час наростання імпульсу
160нс(1802395)
Час спадання імпульсу
75нс(1443722)
Вид об'єднаної схеми
current sense(1492961) low-side(1605680) контролер затворів(1617856)
Топологія
півмісток MOSFET(1612559) півмісток IGBT(1612529)
клас напруги
200В(1711087)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g
 
Драйвери MOSFET/IGBT NCP5109ADR2G
ONSEMI
Артикул: 694110
IC: driver; півмісток IGBT,півмісток MOSFET; SO8; -500÷250мА
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
68.52 грн
5+
62.14 грн
20+
51.24 грн
53+
48.44 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Робоча температура
-40...125°C
Корпус
SO8
Напруга живлення
10...20В DC
Вихідний струм
-500...250мА
Тип інтегральної мікросхеми
driver
Час наростання імпульсу
160нс
Час спадання імпульсу
75нс
Вид об'єднаної схеми
current sense
Вид об'єднаної схеми
low-side
Вид об'єднаної схеми
контролер затворів
Топологія
півмісток MOSFET
Топологія
півмісток IGBT
клас напруги
200В
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g