0 0 0
  7. NCP5181DR2G

Драйвери MOSFET/IGBT NCP5181DR2G

 
NCP5181DR2G
 
ONSEMI
Артикул: 392508
IC: driver; півмісток IGBT,півмісток MOSFET; SO8; -2,2÷1,4А; Ch: 2
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
144.41 грн
5+
130.36 грн
10+
109.28 грн
26+
103.82 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 1879 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Робоча температура
-40...125°C(1819335)
Корпус
SO8(1441256)
Напруга живлення
10...20В DC(1492932)
Вихідний струм
-2,2...1,4А(1803258)
Тип інтегральної мікросхеми
driver(1443705)
Час наростання імпульсу
60нс(1444030)
Час спадання імпульсу
40нс(1605696)
Кількість каналів
2(1443907)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Захист
зростання напруги(1600603)
Вид об'єднаної схеми
current sense(1503921) контролер затворів(1617856)
Топологія
півмісток MOSFET(1612559) півмісток IGBT(1612529)
клас напруги
600В(1711085)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,14 g
 
Драйвери MOSFET/IGBT NCP5181DR2G
ONSEMI
Артикул: 392508
IC: driver; півмісток IGBT,півмісток MOSFET; SO8; -2,2÷1,4А; Ch: 2
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
144.41 грн
5+
130.36 грн
10+
109.28 грн
26+
103.82 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 1879 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Робоча температура
-40...125°C
Корпус
SO8
Напруга живлення
10...20В DC
Вихідний струм
-2,2...1,4А
Тип інтегральної мікросхеми
driver
Час наростання імпульсу
60нс
Час спадання імпульсу
40нс
Кількість каналів
2
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Захист
зростання напруги
Вид об'єднаної схеми
current sense
Вид об'єднаної схеми
контролер затворів
Топологія
півмісток MOSFET
Топологія
півмісток IGBT
клас напруги
600В
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,14 g