Драйвери MOSFET/IGBT NCP81080DR2G

 
NCP81080DR2G
 
Артикул: 670068
IC: driver; півмісток MOSFET; high-side,контролер затворів; SO8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
94.55 грн
5+
84.22 грн
15+
66.51 грн
42+
62.88 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 815 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Робоча температура
-40...140°C(1820038)
Корпус
SO8(1441256)
Напруга живлення
5,5...20В DC(1590135)
Вихідний струм
-800...500мА(1918399)
Тип інтегральної мікросхеми
driver(1443705)
Час наростання імпульсу
19нс(1444006)
Час спадання імпульсу
17нс(1444015)
Вид об'єднаної схеми
current sense(1492961) контролер затворів(1617856)
Топологія
півмісток MOSFET(1612559)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,119 g
 
Драйвери MOSFET/IGBT NCP81080DR2G
ONSEMI
Артикул: 670068
IC: driver; півмісток MOSFET; high-side,контролер затворів; SO8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
94.55 грн
5+
84.22 грн
15+
66.51 грн
42+
62.88 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 815 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Робоча температура
-40...140°C
Корпус
SO8
Напруга живлення
5,5...20В DC
Вихідний струм
-800...500мА
Тип інтегральної мікросхеми
driver
Час наростання імпульсу
19нс
Час спадання імпульсу
17нс
Вид об'єднаної схеми
current sense
Вид об'єднаної схеми
контролер затворів
Топологія
півмісток MOSFET
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,119 g