0 0 0
  8. NTD14N03RT4G

Транзистори з каналом N SMD NTD14N03RT4G

 
NTD14N03RT4G
 
ONSEMI
Артикул: 542216
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 25В; 2,5А; Idm: 28А; 20,8Вт; DPAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
80.25 грн
10+
78.82 грн
17+
60.38 грн
46+
57.05 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DPAK(1440836)
Напруга сток-джерело
25В(1441346)
Струм стока
2,5А(1441399)
Опір в стані провідності
0,117Ом(1492483)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
20,8Вт(1741969)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
1,8нКл(1633317)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
28А(1801403)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g
 
Транзистори з каналом N SMD NTD14N03RT4G
ONSEMI
Артикул: 542216
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 25В; 2,5А; Idm: 28А; 20,8Вт; DPAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
80.25 грн
10+
78.82 грн
17+
60.38 грн
46+
57.05 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
DPAK
Напруга сток-джерело
25В
Струм стока
2,5А
Опір в стані провідності
0,117Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
20,8Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
1,8нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
28А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g