0 0 0
  8. NTD20N06T4G

Транзисторы с каналом N SMD NTD20N06T4G

 
NTD20N06T4G
 
ONSEMI
Артикул: 542217
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 10А; Idm: 60А; 60Вт; DPAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
85.00 грн
21+
49.23 грн
56+
46.54 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DPAK(1440836)
Напруга сток-джерело
60В(1441252)
Струм стока
10А(1441290)
Опір в стані провідності
37,5мОм(1610050)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
60Вт(1701959)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
21,2нКл(1811077)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
60А(1741654)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD NTD20N06T4G
ONSEMI
Артикул: 542217
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 10А; Idm: 60А; 60Вт; DPAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
85.00 грн
21+
49.23 грн
56+
46.54 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
DPAK
Напруга сток-джерело
60В
Струм стока
10А
Опір в стані провідності
37,5мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
60Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
21,2нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
60А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g