0 0 0
  8. NTD360N80S3Z

Транзистори з каналом N SMD NTD360N80S3Z

 
NTD360N80S3Z
 
ONSEMI
Артикул: 542219
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 8,2А; Idm: 32,5А; 96Вт; DPAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
170.03 грн
5+
153.34 грн
9+
121.73 грн
23+
115.10 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DPAK(1440836)
Напруга сток-джерело
800В(1441395)
Струм стока
8,2А(1492461)
Опір в стані провідності
0,3Ом(1492261)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
96Вт(1740786)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
25,3нКл(1479076)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
32,5А(1905990)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g
 
Транзистори з каналом N SMD NTD360N80S3Z
ONSEMI
Артикул: 542219
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 8,2А; Idm: 32,5А; 96Вт; DPAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
170.03 грн
5+
153.34 грн
9+
121.73 грн
23+
115.10 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
DPAK
Напруга сток-джерело
800В
Струм стока
8,2А
Опір в стані провідності
0,3Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
96Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
25,3нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
32,5А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g