0 0 0
  8. NTD5C434NT4G

Транзисторы с каналом N SMD NTD5C434NT4G

 
NTD5C434NT4G
 
ONSEMI
Артикул: 542226
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 23А; Idm: 900А; 2,4Вт; DPAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
607.02 грн
3+
435.40 грн
7+
411.56 грн
500+
404.41 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DPAK(1440836)
Напруга сток-джерело
40В(1441244)
Струм стока
23А(1479277)
Опір в стані провідності
1,7мОм(1479605)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
2,4Вт(1507584)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
80,6нКл(1930649)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
900А(1714537)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD NTD5C434NT4G
ONSEMI
Артикул: 542226
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 23А; Idm: 900А; 2,4Вт; DPAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
607.02 грн
3+
435.40 грн
7+
411.56 грн
500+
404.41 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
DPAK
Напруга сток-джерело
40В
Струм стока
23А
Опір в стані провідності
1,7мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
2,4Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
80,6нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
900А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g