0 0 0
  8. NTD5C668NLT4G

Транзистори з каналом N SMD NTD5C668NLT4G

 
NTD5C668NLT4G
 
ONSEMI
Артикул: 542229
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 10А; Idm: 250А; 2Вт; DPAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
189.58 грн
5+
134.62 грн
10+
108.30 грн
26+
102.40 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DPAK(1440836)
Напруга сток-джерело
60В(1441252)
Струм стока
10А(1441290)
Опір в стані провідності
10,2мОм(1740136)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
2Вт(1507429)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
18,7нКл(1759123)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
250А(1714519)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g
 
Транзистори з каналом N SMD NTD5C668NLT4G
ONSEMI
Артикул: 542229
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 10А; Idm: 250А; 2Вт; DPAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
189.58 грн
5+
134.62 грн
10+
108.30 грн
26+
102.40 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
DPAK
Напруга сток-джерело
60В
Струм стока
10А
Опір в стані провідності
10,2мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
2Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
18,7нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
250А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g