0 0 0
  8. NTE4151PT1G

Транзистори з каналом P SMD NTE4151PT1G

 
NTE4151PT1G
 
ONSEMI
Артикул: 140874
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -0,76А; 313мВт; SC89
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
5+
13.99 грн
25+
9.22 грн
100+
7.47 грн
141+
7.08 грн
Мін. замовлення: 5
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SC89(1492549)
Напруга сток-джерело
-20В(1478965)
Струм стока
-0,76А(1702229)
Опір в стані провідності
1Ом(1441391)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
313мВт(1742129)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
2,1нКл(1636481)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,012 g
 
Транзистори з каналом P SMD NTE4151PT1G
ONSEMI
Артикул: 140874
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -0,76А; 313мВт; SC89
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
5+
13.99 грн
25+
9.22 грн
100+
7.47 грн
141+
7.08 грн
Мін. замовлення: 5
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SC89
Напруга сток-джерело
-20В
Струм стока
-0,76А
Опір в стані провідності
1Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
313мВт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
2,1нКл
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,012 g