0 0 0
  7. NTGD1100LT1G

Транзистори багатоканальні NTGD1100LT1G

 
NTGD1100LT1G
 
ONSEMI
Артикул: 542210
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 8В; 2,4А; Idm: 10А; 430мВт; TSOP6
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
66.20 грн
5+
29.51 грн
25+
26.48 грн
48+
20.76 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TSOP6(1492290)
Напруга сток-джерело
8В(1492566)
Струм стока
2,4А(1441489)
Опір в стані провідності
40мОм(1441515)
Тип транзистора
N/P-MOSFET(1441267)
Потужність розсіювання
0,43Вт(1918339)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
10А(1785364)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,01 g
 
Транзистори багатоканальні NTGD1100LT1G
ONSEMI
Артикул: 542210
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 8В; 2,4А; Idm: 10А; 430мВт; TSOP6
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
66.20 грн
5+
29.51 грн
25+
26.48 грн
48+
20.76 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
TSOP6
Напруга сток-джерело
8В
Струм стока
2,4А
Опір в стані провідності
40мОм
Тип транзистора
N/P-MOSFET
Потужність розсіювання
0,43Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
10А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,01 g