0 0 0
  8. NTGS3130NT1G

Транзистори з каналом N SMD NTGS3130NT1G

 
NTGS3130NT1G
 
ONSEMI
Артикул: 542236
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,1А; Idm: 19А; 600мВт; TSOP6
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
60.38 грн
5+
42.43 грн
25+
38.22 грн
33+
30.43 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TSOP6(1492290)
Напруга сток-джерело
20В(1441277)
Струм стока
4,1А(1441393)
Опір в стані провідності
19Ом(1502502)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
0,6Вт(1507580)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
13,2нКл(1609924)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
19А(1800734)
Додаткова інформація: Маса брутто: 3 g
 
Транзистори з каналом N SMD NTGS3130NT1G
ONSEMI
Артикул: 542236
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,1А; Idm: 19А; 600мВт; TSOP6
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
60.38 грн
5+
42.43 грн
25+
38.22 грн
33+
30.43 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
TSOP6
Напруга сток-джерело
20В
Струм стока
4,1А
Опір в стані провідності
19Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
0,6Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
13,2нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
19А
Додаткова інформація: Маса брутто: 3 g