0 0 0
  8. NTGS3136PT1G

Транзистори з каналом P SMD NTGS3136PT1G

 
NTGS3136PT1G
 
ONSEMI
Артикул: 622820
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -3,6А; Idm: -20А; 700мВт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
84.22 грн
5+
47.67 грн
25+
42.90 грн
29+
34.39 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TSOP6(1492290)
Напруга сток-джерело
-20В(1478965)
Струм стока
-3,6А(1479071)
Опір в стані провідності
32мОм(1441272)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
0,7Вт(1507581)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
18нКл(1479041)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
-20А(1741687)
Додаткова інформація: Маса брутто: 3 g
 
Транзистори з каналом P SMD NTGS3136PT1G
ONSEMI
Артикул: 622820
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -3,6А; Idm: -20А; 700мВт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
84.22 грн
5+
47.67 грн
25+
42.90 грн
29+
34.39 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
TSOP6
Напруга сток-джерело
-20В
Струм стока
-3,6А
Опір в стані провідності
32мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
0,7Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
18нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
-20А
Додаткова інформація: Маса брутто: 3 g