0 0 0
  8. NTGS3433T1G

Транзистори з каналом P SMD NTGS3433T1G

 
NTGS3433T1G
 
ONSEMI
Артикул: 622809
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -12В; -2,35А; Idm: -14А; 1Вт; TSOP6
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
61.18 грн
5+
30.99 грн
25+
27.89 грн
45+
22.34 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TSOP6(1492290)
Напруга сток-джерело
-12В(1478988)
Струм стока
-2,35А(1805258)
Опір в стані провідності
75мОм(1479133)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
1Вт(1487288)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
7нКл(1479104)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
-14А(1741668)
Додаткова інформація: Маса брутто: 3 g
 
Транзистори з каналом P SMD NTGS3433T1G
ONSEMI
Артикул: 622809
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -12В; -2,35А; Idm: -14А; 1Вт; TSOP6
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
61.18 грн
5+
30.99 грн
25+
27.89 грн
45+
22.34 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
TSOP6
Напруга сток-джерело
-12В
Струм стока
-2,35А
Опір в стані провідності
75мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
1Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
7нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
-14А
Додаткова інформація: Маса брутто: 3 g