0 0 0
  8. NTH4L080N120SC1

Транзистори з каналом N THT NTH4L080N120SC1

 
NTH4L080N120SC1
 
ONSEMI
Артикул: 437044
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 21А; Idm: 125А; 28Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 125.20 грн
2+
915.57 грн
3+
865.54 грн
30+
833.78 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 10 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-4(1624837)
Напруга сток-джерело
1,2кВ(1593801)
Струм стока
21А(1441374)
Опір в стані провідності
80мОм(1441523)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
28Вт(1520807)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Властивості напівпровідникових елементів
виведення Кельвіна(1786848)
Заряд затвора
56нКл(1479440)
Технологія
SiC(1591568)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
-15...25В(1981521)
Струм стоку в імпульсі
125А(1823311)
Додаткова інформація: Маса брутто: 6,42 g
 
Транзистори з каналом N THT NTH4L080N120SC1
ONSEMI
Артикул: 437044
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 21А; Idm: 125А; 28Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 125.20 грн
2+
915.57 грн
3+
865.54 грн
30+
833.78 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 10 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
THT
Корпус
TO247-4
Напруга сток-джерело
1,2кВ
Струм стока
21А
Опір в стані провідності
80мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
28Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Властивості напівпровідникових елементів
виведення Кельвіна
Заряд затвора
56нКл
Технологія
SiC
Вид каналу
збагачений
Напруга затвор-джерело
-15...25В
Струм стоку в імпульсі
125А
Додаткова інформація: Маса брутто: 6,42 g