0 0 0
  7. NTHC5513T1G

Транзистори багатоканальні NTHC5513T1G

 
NTHC5513T1G
 
ONSEMI
Артикул: 542211
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 2,1Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
106.87 грн
5+
74.17 грн
19+
52.89 грн
51+
50.00 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
ChipFET(1805287)
Напруга сток-джерело
20/-20В(1596061)
Струм стока
3,9/-3А(1996884)
Опір в стані провідності
115/240мОм(1996885)
Тип транзистора
N/P-MOSFET(1441267)
Потужність розсіювання
2,1Вт(1487305)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
3нКл(1609780)
Вид транзистора
комплементарні(1492083)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
12А(1741665)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,01 g
 
Транзистори багатоканальні NTHC5513T1G
ONSEMI
Артикул: 542211
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 2,1Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
106.87 грн
5+
74.17 грн
19+
52.89 грн
51+
50.00 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
ChipFET
Напруга сток-джерело
20/-20В
Струм стока
3,9/-3А
Опір в стані провідності
115/240мОм
Тип транзистора
N/P-MOSFET
Потужність розсіювання
2,1Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
3нКл
Вид транзистора
комплементарні
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
12А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,01 g