0 0 0
  7. NTHD3100CT1G

Транзистори багатоканальні NTHD3100CT1G

 
NTHD3100CT1G
 
ONSEMI
Артикул: 542212
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 3,1Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
70.18 грн
5+
52.96 грн
25+
40.55 грн
67+
38.33 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 2500 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
ChipFET(1805287)
Напруга сток-джерело
20/-20В(1596061)
Струм стока
(1996882)
Опір в стані провідності
(1996883)
Тип транзистора
N/P-MOSFET(1441267)
Потужність розсіювання
3,1Вт(1449545)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
7,4нКл(1479204)
Вид транзистора
комплементарні(1492083)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
12А(1741665)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,026 g
 
Транзистори багатоканальні NTHD3100CT1G
ONSEMI
Артикул: 542212
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 3,1Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
70.18 грн
5+
52.96 грн
25+
40.55 грн
67+
38.33 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 2500 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
ChipFET
Напруга сток-джерело
20/-20В
Струм стока
Опір в стані провідності
Тип транзистора
N/P-MOSFET
Потужність розсіювання
3,1Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
7,4нКл
Вид транзистора
комплементарні
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
12А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,026 g