Транзистори багатоканальні NTHD3102CT1G

 
NTHD3102CT1G
 
Артикул: 542213
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 600мВт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
79.75 грн
5+
59.50 грн
24+
42.00 грн
65+
39.71 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
ChipFET(1805287)
Напруга сток-джерело
20/-20В(1596061)
Струм стока
5,5/-4,2А(1643489)
Опір в стані провідності
37/83мОм(1906002)
Тип транзистора
N/P-MOSFET(1441267)
Потужність розсіювання
0,6Вт(1507580)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
5,8/6,6нКл(1906003)
Вид транзистора
комплементарні(1492083)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
16А(1741678)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,01 g
 
Транзистори багатоканальні NTHD3102CT1G
ONSEMI
Артикул: 542213
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 600мВт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
79.75 грн
5+
59.50 грн
24+
42.00 грн
65+
39.71 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
ChipFET
Напруга сток-джерело
20/-20В
Струм стока
5,5/-4,2А
Опір в стані провідності
37/83мОм
Тип транзистора
N/P-MOSFET
Потужність розсіювання
0,6Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
5,8/6,6нКл
Вид транзистора
комплементарні
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
16А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,01 g