0 0 0
  7. NTHD4508NT1G

Транзистори багатоканальні NTHD4508NT1G

 
NTHD4508NT1G
 
ONSEMI
Артикул: 542215
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 2,2А; Idm: 12А; 590мВт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
68.59 грн
5+
46.10 грн
25+
41.31 грн
31+
32.40 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
ChipFET(1805287)
Напруга сток-джерело
20В(1441277)
Струм стока
2,2А(1501033)
Опір в стані провідності
80мОм(1441523)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Потужність розсіювання
0,59Вт(1811173)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
2,6нКл(1479095)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
12А(1741665)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,01 g
 
Транзистори багатоканальні NTHD4508NT1G
ONSEMI
Артикул: 542215
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 2,2А; Idm: 12А; 590мВт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
68.59 грн
5+
46.10 грн
25+
41.31 грн
31+
32.40 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
ChipFET
Напруга сток-джерело
20В
Струм стока
2,2А
Опір в стані провідності
80мОм
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Потужність розсіювання
0,59Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
2,6нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
12А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,01 g