0 0 0
  8. NTHL020N090SC1

Транзистори з каналом N THT NTHL020N090SC1

 
NTHL020N090SC1
 
ONSEMI
Артикул: 437046
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 900В; 83А; Idm: 427А; 251Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
2 065.77 грн
2+
1 953.74 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Напруга сток-джерело
900В(1441403)
Струм стока
83А(1479452)
Опір в стані провідності
28мОм(1441275)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
251Вт(1823315)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
196нКл(1743014)
Технологія
SiC(1591568)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
-10...19В(1981522)
Струм стоку в імпульсі
427А(1823314)
Додаткова інформація: Маса брутто: 5 g
 
Транзистори з каналом N THT NTHL020N090SC1
ONSEMI
Артикул: 437046
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 900В; 83А; Idm: 427А; 251Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
2 065.77 грн
2+
1 953.74 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Напруга сток-джерело
900В
Струм стока
83А
Опір в стані провідності
28мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
251Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
196нКл
Технологія
SiC
Вид каналу
збагачений
Напруга затвор-джерело
-10...19В
Струм стоку в імпульсі
427А
Додаткова інформація: Маса брутто: 5 g